Моя заявка (0)
SUP70090E-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070082265
Артикул
SUP70090E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
ThunderFETВ®
FET Type
N-Channel
Packaging
Bulk
Vgs (Max)
В±20V
Цена по запросу
(от 431 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs TO-220

Технические параметры

SeriesThunderFETВ®
FET TypeN-Channel
PackagingBulk
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2
Длина10.41 mm
СерияSUP
Part StatusActive
ManufacturerVishay Siliconix
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада45 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9 mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)125W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Qg - заряд затвора50 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C50A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки50 A
Коммерческое обозначениеThunderFET
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения36 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.38 S

Техническая документация