Моя заявка (0)

SUP70030E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 A, 0.00265 ohm, TO-220AB, Through Hole

SUP70030E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 A, 0.00265 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001521565
Артикул
SUP70030E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Tube
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 688 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V Vds;20V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Вес, г1
КорпусTO-220AB
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора214 nC
Время нарастания13 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности375 W
Id - непрерывный ток утечки150 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения50 ns
Типичное время задержки при включении30 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А150
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.110 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00265 Ом

Техническая документация