Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V, 3-Pin TO-220AB SUP60020E-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014515490
Артикул
SUP60020E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.65mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 940 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор напряжением 80 В (D-S). Максимальная температура переxода TrenchFET® power MOSFET составляет 175°C, Очень низкая Qgd снижает потери мощности при проxождении через Vplateauundefined

Технические параметры

Width4.65mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation375Вт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.5V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation375 W
Typical Gate Charge @ Vgs151.2 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance2.8 mΩ
Drain Source On State Resistance0.002Ом
Maximum Continuous Drain Current150 A
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока150А
Рассеиваемая Мощность375Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.002Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация