Моя заявка (0)

SUP53P06-20-E3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -46,8А, 66,7Вт, TO220AB

SUP53P06-20-E3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -46,8А, 66,7Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008562566
Артикул
SUP53P06-20-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SUP
Fall Time:
40 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 394,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -46,8А, 66,7Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SUP
Fall Time:40 ns
Packaging:Tube
Rise Time:7 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г4.17
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO220AB
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:115 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:104.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:53 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:500
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В66.7
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А46.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт66.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация