SUP50020E-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070192791
- Артикул
- SUP50020E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.65mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Серия
- SUP
Цена по запросу
(от 336,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V Vds TrenchFET TO-220AB
Технические параметры
| Width | 4.65mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Серия | SUP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 23 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Qg - заряд затвора | 128 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 mΩ |
| Время нарастания | 20 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |