Моя заявка (0)

SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт; D2PAK

SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017542005
Артикул
SUM90P10-19L-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
D2PAK, TO263
Mounting
SMD
Вес, г
2.48
Gate charge
326nC
Цена по запросу
(от 586,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SUM90P10-19L-E3 является P-канальным TrenchFET® силовым МОП-транзистором -100В.

Технические параметры

CaseD2PAK, TO263
MountingSMD
Вес, г2.48
Gate charge326nC
Channel TypeP Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current-90A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation375Вт
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19mΩ
Drain-source voltage-100V
Pulsed drain current-90A
Power Dissipation (Pd)13.6W;375W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)326nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)11.1nF@50V
Continuous Drain Current (Id)90A
Drain Source On State Resistance0.0156Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока90А
Рассеиваемая Мощность375Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0156Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)19mΩ@10V, 20A

Техническая документация