SUM90140E-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 75А, 125Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070138947
- Артикул
- SUM90140E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 343,93 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay SUM90140E - это N-канальный МОП-транзистор с максимальной температурой переxода 175°C, имеющий напряжение сток-исток (Vds) 200 В и напряжение затвор-исток (VGS) 20 В.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max) |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| EDA / CAD Models | SUM90140E-GE3 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | ThunderFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Typical Fall Time (ns) | 80 |
| Typical Rise Time (ns) | 112 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 375000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 64 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4132@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 17@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |