TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025041101
- Артикул
- SUM90100E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 131,77 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay на 200 В (D-S). Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0114 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |