SUM65N20-30-E3, MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006241387
- Артикул
- SUM65N20-30-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 9.652mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 9.652mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 84 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30мОм |