Моя заявка (0)
SUM60N10-17-E3, MOSFETs 100V 60A 150W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006229358
Артикул
SUM60N10-17-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Вес, г
4
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 430,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы SUM и SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs Vishay SUM и SUP ThunderFET® / TrenchFET® имеют N-канальные опции полярности, расширяющие возможности МОП-транзисторов низкого и среднего напряжения VDS серий ThunderFET и TrenchFET IV. Серии SUM и SUP предлагаются в корпусаx TO-220 и TO-263 с напряжением 60 В, 80 В и 100 В постоянного тока. МОП-транзисторы Vishay SUM и SUP ThunderFET / TrenchFET имеют максимальную температуру соединения 175°C и на 100% протестированы на соответствие стандартам RG и UIS. Типичные области применения включают источники питания, переключатели электропривода, инверторы и преобразователи постоянного тока, электроинструменты, системы управления аккумуляторами и многое другое.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SUM60N10-17
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:100 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:16.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация