Моя заявка (0)

SUM60030E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Surface Mount

SUM60030E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046436282
Артикул
SUM60030E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SUM
Tradename:
TrenchFET
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 651 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET МОП-транзисторы Vishay SUM и SUP ThunderFET® / TrenchFET® оснащены N-канальными опциями полярности, что расширяет возможности МОП-транзисторов низкого и среднего напряжения V DS серий ThunderFET и TrenchFET IV. Серии SUM и SUP предлагаются в корпусаx TO-220 и TO-263 с напряжением 60 В постоянного тока, 80 В постоянного тока и 100 В постоянного тока. МОП-транзисторы Vishay SUM и SUP ThunderFET / TrenchFET имеют максимальную температуру соединения 175°C и на 100% проверены на работоспособность и UIS. Типичные области применения включают источники питания, переключатели электропривода, инверторы и преобразователи постоянного тока, электроинструменты, системы управления аккумуляторами и многое другое.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SUM
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-4
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:141 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:375 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0026 Ом