SUM60020E-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070056789
- Артикул
- SUM60020E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 9.65mm
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 15 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET® поколения IV в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким коэффициентом усиления (вкл.), что приводит к более низким потерям проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 151.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 151.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.00175Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.47 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 150А |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00175Ом |