SUM50020E-GE3, MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006211273
- Артикул
- SUM50020E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 23 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 11 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SUM и SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs Vishay SUM и SUP ThunderFET® / TrenchFET® имеют N-канальные опции полярности, расширяющие возможности МОП-транзисторов низкого и среднего напряжения VDS серий ThunderFET и TrenchFET IV. Серии SUM и SUP предлагаются в корпусаx TO-220 и TO-263 с напряжением 60 В, 80 В и 100 В постоянного тока. МОП-транзисторы Vishay SUM и SUP ThunderFET / TrenchFET имеют максимальную температуру соединения 175°C и на 100% протестированы на соответствие стандартам RG и UIS. Типичные области применения включают источники питания, переключатели электропривода, инверторы и преобразователи постоянного тока, электроинструменты, системы управления аккумуляторами и многое другое.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 128 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |