Моя заявка (0)
SUM40014M-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062594399
Артикул
SUM40014M-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
7
Вес, г
1.5
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V-DUAL N-CHANNEL

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count7
Вес, г1.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаBulk
Power Dissipation375Вт
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада35 ns
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-263-7L
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистораThunderFET Power MOSFET
Maximum Gate Threshold Voltage2.4V
Qg - заряд затвора182 nC
Maximum Drain Source Resistance0.00099 Ω
Время нарастания10 ns
Drain Source On State Resistance820мкОм
Maximum Continuous Drain Current200 A
Линейка ПродукцииThunderFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов7вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока200А
Рассеиваемая Мощность375Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Pd - рассеивание мощности375 W
Id - непрерывный ток утечки200 A
Коммерческое обозначениеThunderFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки800
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток990 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)820мкОм
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.140 S

Техническая документация