Моя заявка (0)
SUM40012EL-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062301467
Артикул
SUM40012EL-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
9.65mm
Pin Count
3
Вес, г
1.5
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 350,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор напряжением 40 В (D-S). Максимальная температура соединения МОП-транзистора TrenchFET® power составляет 175°C. Превосxодные RDS-Qg и RDS-Qoss FOM снижают потери мощности при проводимости и переключении, обеспечивая высокую эффективность.

Технические параметры

Width9.65mm
Pin Count3
Вес, г1.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation150Вт
Forward Diode Voltage1.5V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs130 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance2.2 mΩ
Drain Source On State Resistance0.00139Ом
Maximum Continuous Drain Current150 A
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока150А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00139Ом

Техническая документация