Моя заявка (0)

SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт; D2PAK

SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024672024
Артикул
SUM110P08-11L-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
D2PAK, TO263
Тип
MOSFET
Mounting
SMD
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 493,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET Vishay - это P-канальный транзистор, корпус TO-263-3 - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 80 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В.

Технические параметры

CaseD2PAK, TO263
ТипMOSFET
MountingSMD
Вес, г0.03
Gate charge0.27µC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
КорпусTO-263-3(D2PAK)
Drain current-110A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Мощностьрассеиваемая(Pd)-375 Вт
ОписаниеMOSFET P-Channel 80 V 110A(Tc)13.6W(Ta), 375W(Tc)Surface Mount TO-263(D2PAK)
УпаковкаREEL, 800 шт.
Power dissipation125W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11.2mΩ
Drain-source voltage-80V
Pulsed drain current-120A
Емкость, пФ10850
Особенности-
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Тип проводимостиP
Заряд затвора, нКл270
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А-110
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*48*39/200
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация