Транзистор полевой SUM110P06-07L-E3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405068
- Артикул
- SUM110P06-07L-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 50 ns
Цена по запросу
(от 2 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Микросборка диодная TO-263 Характеристики Категория Диод Тип диодная сборка
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUM110P06-07L |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-375 мВт |
| Описание | MOSFET 60V 110A 375W |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 230 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Тип проводимости | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.9 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 345 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -110 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 62*50*52/500 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -60 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 6.9 |