SUM10250E-GE3, MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006250355
- Артикул
- SUM10250E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- D2PAK, TO263
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SUM
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 351,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SUM |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 72 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 93 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 3.95 |
| Gate charge | 57.6nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 36.6A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 125W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 88 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 31mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 63.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 63 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |