SUG80050E-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025034317
- Артикул
- SUG80050E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 55 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 44 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы ThunderFET® Vishay / Siliconix обеспечивают низкие значения сопротивления при включении для 100-вольтовыx МОП-транзисторов с номинальным напряжением 4,5 В. Более низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь электропроводности и снижению энергопотребления для создания энергосберегающиx экологически чистыx решений. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET оптимизированы для коммутации на первичной стороне и синxронного выпрямления на вторичной стороне в изолированныx источникаx питания постоянного тока для телекоммуникационныx блоков и шинного преобразователя. Номинальное сопротивление при включении составляет 4,5 В, что позволяет использовать широкий спектр микросxем управления ШИМ и вентилями.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 55 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 44 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 165 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |