SUD90330E-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062037340
- Артикул
- SUD90330E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- ThunderFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 200 В, 35,8 А, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 35,8 А; Напряжение источника стока Vds: 200 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0312 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-252; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: Серия TrenchFET; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (07 июля 2017)
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | ThunderFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUD90330E-BE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Id - Continuous Drain Current: | 35.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 28 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31.2 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1172pF @ 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 35.8A(Tc) |