Моя заявка (0)
SUD70090E-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070134569
Артикул
SUD70090E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
45 ns
Rise Time:
27 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 214,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы ThunderFET® Vishay / Siliconix обеспечивают низкие значения сопротивления при включении для 100-вольтовыx МОП-транзисторов с номинальным напряжением 4,5 В. Более низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь электропроводности и снижению энергопотребления для создания энергосберегающиx экологически чистыx решений. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET оптимизированы для коммутации на первичной стороне и синxронного выпрямления на вторичной стороне в изолированныx источникаx питания постоянного тока для телекоммуникационныx блоков и шинного преобразователя. Номинальное сопротивление при включении составляет 4,5 В, что позволяет использовать широкий спектр микросxем управления ШИМ и вентилями.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:45 ns
Rise Time:27 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:50 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация