SUD50P10-43L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -37,1А; Idm: -40А; 95Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566056
- Артикул
- SUD50P10-43L-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Packaging
- Cut Tape
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 20 ns, 160 ns
Цена по запросу
(от 276,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Packaging | Cut Tape |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 20 ns, 160 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.52 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DPAK-3(TO-252-3) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUD50P10-43L-BE3 |
| Product Category | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Power Dissipation (Pd) | 8.3W;136W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 160nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 42 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.6nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns, 110 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 37.1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 37.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 95 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 43mΩ@9.2A, 10V |