SUD50P10-43L-BE3, MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025626677
- Артикул
- SUD50P10-43L-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 160 ns
- Вес, г
- 0.3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® Vishay / Siliconix оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики сопротивления при включении (1,9 Мом) в PowerPak® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 160 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Part # Aliases: | SUD50P10-43L-E3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 37.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |