SUD50P06-15L-E3, Диод защитный TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071680
- Артикул
- SUD50P06-15L-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- Case
- DPAK, TO252
- PPAP
- No
- Brand:
- Vishay Semiconductors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | DPAK, TO252 |
| PPAP | No |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | SUD |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.46 |
| Gate charge | 165nC |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Drain current | -50A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power dissipation | 136W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Process Technology | TrenchFET |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 30mΩ |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -80A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 175 |
| Typical Rise Time (ns) | 70 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 175 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4950@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 15@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |