SUD50P04-08-GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8777233313
- Артикул
- SUD50P04-08-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 286 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт; DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 73.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0067 Ом |