SUD50P04-08-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033711347
- Артикул
- SUD50P04-08-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.33
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 161 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт; DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.33 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 73.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 73.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 73.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |