Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025033532
Артикул
SUD35N10-26P-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.41
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.41
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)40A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В