SUD35N10-26P-E3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062310896
- Артикул
- SUD35N10-26P-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® Vishay / Siliconix оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики сопротивления при включении (1,9 Мом) в PowerPak® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUD35N10-26P-BE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |