Моя заявка (0)

SUD23N06-31-GE3, Транзистор N-МОП, 60В, 21,4А, 31,25Вт, TO252

SUD23N06-31-GE3, Транзистор N-МОП, 60В, 21,4А, 31,25Вт, TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070046911
Артикул
SUD23N06-31-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
6.22mm
Pin Count
3
Вес, г
0.44
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET SUD23N06-31-GE3 от производителя VISHAY представляет собой высококачественный компонент для SMD монтажа. С током стока 21,4 А и напряжением сток-исток 60 В, этот полевой транзистор обладает мощностью 31,25 Вт и очень низким сопротивлением в открытом состоянии 0,031 Ом, что делает его идеальным выбором для эффективного управления мощностью. Корпус TO252 обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа. Продукт SUD23N06-31-GE3 обладает отличными характеристиками для использования в широком спектре областей применения, начиная от электропитания и заканчивая автомобильной электроникой. Код товара SUD23N0631GE3 подтверждает его уникальность и обеспечивает легкость идентификации в каталоге. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 21.4 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 31.25 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.031 Корпус TO252

Технические параметры

Width6.22mm
Pin Count3
Вес, г0.44
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3 W
Typical Gate Charge @ Vgs11 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance31 mΩ
Maximum Continuous Drain Current23 A

Техническая документация