Моя заявка (0)

SUD19P06-60-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -8,19А, 2,3Вт, DPAK

SUD19P06-60-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -8,19А, 2,3Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543872
Артикул
SUD19P06-60-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
DPAK, TO252
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 95,63 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseDPAK, TO252
ВидMOSFET
Типполевой
MountingSMD
Вес, г1.5
Gate charge26nC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current-8.19A
Kind of channelenhanced
Power dissipation2.3W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance60mΩ
Drain-source voltage-60V
Особенности-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В2.3
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.19
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10mΩ@15A, 10V

Техническая документация