SUD19P06-60-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,3А; Idm: -30А; 38,5Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566054
- Артикул
- SUD19P06-60-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.52
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 130,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.52 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUD19P06-60-BE3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.3W;38.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.71nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 38.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@10A, 10V |