SUD09P10-195-GE3, Power MOSFET, P Channel, 100 V, 8.8 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8915598352
- Артикул
- SUD09P10-195-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 11.7 nC
- V(DS)
- 100 V
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- P(tot)
- 32.1 W
Цена по запросу
(от 189 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -100 В, -8,8 А, 150°C; Тип канала: P-канал; Напряжение стока-истока Vds: 100 В; Постоянный ток стока Id: 8,8 А; Монтаж транзистора: Поверxностный; Испытательное напряжение Rds (включено): 10 В; Затворный источник 70AC6526
Технические параметры
| Q(g) | 11.7 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| P(tot) | 32.1 W |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 3.9 K/W |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.39 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | P-CH |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 195 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 8.8 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SUD09P10-195-BE3 |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23.2 nC |
| Process Technology | Single |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 113.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 23.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 23.3@10VI11.7@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 195 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 8.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1055@50V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 195@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.162 Ом |