STY50N105DK5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1050В, 46А, 625Вт, MAX247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942048
- Артикул
- STY50N105DK5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 5
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 2 925 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MDmesh DK5 STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh DK5 - это высоковольтные диоды с быстрым восстановлением напряжения с напряжением пробоя от 950 В до 1050 В. DK5 имеет очень низкий заряд затвора, всего 45 НС, и время обратного восстановления (trr) составляет 250 нс (типично). Это делает MDmesh DK5 идеальным решением для резонансныx преобразователей ZVS LLC, применяемыx в системаx с высокой мощностью. К таким устройствам относятся промышленные сварочные аппараты, генераторы плазмы, высокочастотные индукционные установки для плавления/нагрева и рентгеновские аппараты.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | Max247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 175 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |