Моя заявка (0)

STY100NM60N,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Through Hole

STY100NM60N,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000472790
Артикул
STY100NM60N
Бренд
STMicroelectronics
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
25V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
7.276
Цена по запросу
(от 5 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 600 В 98А (Tc) 625 Вт (Tc) со сквозным отверстием MAX247™

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г7.276
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 49A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)625W(Tc)
Supplier Device PackageMAX247™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C98A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А98
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.028 Ом

Техническая документация