STWA65N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584166
- Артикул
- STWA65N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- ST
- Series:
- DM6
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 951 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | ST |
| Series: | DM6 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 71 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 368 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60 мОм |