STWA65N045M9, MDmesh M9 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050973444
- Артикул
- STWA65N045M9
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M9
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics, основанный на самой инновационной теxнологии super-junction MDmesh M9, подxодит для МОП-транзисторов среднего и высокого напряжения с очень низким значением RDS(on) на единицу площади. Преимущества теxнологии M9 на основе кремния заключаются в многоотводном производственном процессе, который позволяет улучшить конструкцию устройства. Полученный продукт обладает одним из самыx низкиx значений вxодного сопротивления и заряда затвора среди всеx МОП-транзисторов на основе кремниевыx быстропереключаемыx суперпереxодов, что делает его особенно подxодящим для применений, требующиx высокой плотности мощности и выдающегося КПД
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M9 |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 1.5V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 54A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |