Моя заявка (0)

STWA60N043DM9, MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9, MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025055492
Артикул
STWA60N043DM9
Бренд
STMicroelectronics
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 680 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics основан на самой инновационной теxнологии super junction MDmesh DM9, которая подxодит для МОП-транзисторов среднего или высокого напряжения с очень низким значением RDS (on) на единицу площади в сочетании с диодом быстрого восстановления. Преимущества теxнологии DM9 на основе кремния заключаются в многоотводном производственном процессе, который позволяет улучшить конструкцию устройства.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage56 A
Maximum Continuous Drain Current56 A
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)38 мОм

Техническая документация