Моя заявка (0)

STWA45N65M5, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole

STWA45N65M5, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001086337
Артикул
STWA45N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.426
Серия
STWA45N65M5
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 2 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)

Технические параметры

Вес, г0.426
СерияSTWA45N65M5
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation210Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9.3 ns
Power Dissipation (Pd)210W
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)82nC@10V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-247-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.47nF@100V
Continuous Drain Current (Id)35A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора82 nC
Время нарастания11 ns
Drain Source On State Resistance0.067Ом
Линейка ПродукцииMDmesh
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока35А
Рассеиваемая Мощность210Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности210 W
Id - непрерывный ток утечки35 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки600
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток67 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.067Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт210
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)78mΩ@17.5A, 10V

Техническая документация