Моя заявка (0)

STWA30N65DM6AG, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 18А; Idm: 112А

STWA30N65DM6AG, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 18А; Idm: 112А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062316679
Артикул
STWA30N65DM6AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
21 ns
Цена по запросу
(от 746,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:21 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:284 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:46 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.75 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600

Техническая документация