Моя заявка (0)

STW9NK95Z, MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z, MOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673516
Артикул
STW9NK95Z
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
SuperMESHв„ў ->
Package
Tube
Цена по запросу
(от 367,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesSuperMESHв„ў ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г6
СерияSTW9NK95Z
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberSTW9 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.38Ohm @ 3.6A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)160W (Tc)
Supplier Device PackageTO-247
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Drain to Source Voltage (Vdss)950V
Qg - заряд затвора56 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2256pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C7A (Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности160 W
Id - непрерывный ток утечки7 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Размер фабричной упаковки600
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.38 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток950 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.15 Ом

Техническая документация