STW9NK90Z, Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001210832
- Артикул
- STW9NK90Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 5.15mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 1300@10V mOhm
Цена по запросу
(от 522 ₽)
Минимальный заказ: 24 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 1300@10V mOhm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Тип | MOSFET |
| Series: | STW9NK90Z |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1 |
| Lead Finish | Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-160 Вт |
| Описание | N-Channel 900 V 8A(Tc)160W(Tc)Through Hole TO-247-3 |
| Упаковка | TUBE, 30 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Typical Fall Time | 28 ns |
| Typical Rise Time | 13 ns |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 2115 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
| Заряд затвора, нКл | 72 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 8 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/600 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 900 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1300 |