Моя заявка (0)

STW8NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO247

STW8NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048524625
Артикул
STW8NK80Z
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 540 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г8.5
PCB changed3
Part StatusActive
Корпусto247
ConfigurationSingle
Package Width5.15(Max)
Package Length15.75(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-247
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)28
Typical Rise Time (ns)30
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)140000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)46
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)46@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)17
Maximum Drain Source Voltage (V)800
Typical Turn-Off Delay Time (ns)48
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1320@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)1500@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация