Моя заявка (0)

STW7N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW7N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830981
Артикул
STW7N90K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STW7N90K5
Fall Time:
14.7 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 296,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STW7N90K5
Fall Time:14.7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14.2 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г4.43
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:110 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:13.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31.6 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:720 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)720 mOhms

Техническая документация