Моя заявка (0)

STW75N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830976
Артикул
STW75N60DM6
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Brand:
STMicroelectronics
Packaging:
Tube
Вес, г
6
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:STMicroelectronics
Packaging:Tube
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:117 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-
Factory Pack Quantity:600
Power Dissipation (Pd)-
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:446 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Continuous Drain Current (Id)72A
Id - Continuous Drain Current:72 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:36 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.25 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А72
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация