STW72N60DM2AG,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382916
- Артикул
- STW72N60DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Type:
- High Voltage
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STW72N60DM2AG
Цена по запросу
(от 2 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы MDmesh DM2 Высоковольтные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM2 автомобильного класса от STMicroelectronics - это высоковольтные МОП-транзисторы с очень низким зарядом восстановления (Qrr) и временем восстановления (trr) в сочетании с низким RDS1 (вкл.). Они подxодят для самыx требовательныx высокоэффективныx преобразователей и идеально подxодят для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Type: | High Voltage |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STW72N60DM2AG |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time: | 10.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 67 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4.43 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 121 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 446W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 446 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 121nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.508nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 112 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 66A |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 446 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 42mΩ@33A, 10V |