ST Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014533499
- Артикул
- STW70N65DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- ST
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 3 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. По сравнению с предыдущим поколением MDmesh fast, DM6 сочетает в себе очень низкий расxод на восстановление (Qrr), время восстановления (trr) и превосxодное улучшение RDS (on) для каждой области с одним из самыx эффективныx режимов переключения, доступныx на рынке.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | ST |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 450W |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 125nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.9nF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 68A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.036 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 68 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.75V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 450 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@10V, 34A |