Моя заявка (0)

ST Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6-4

ST Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6-4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014533501
Артикул
STW70N65DM6-4
Бренд
STMicroelectronics
Series
ST
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Depletion
Цена по запросу
(от 4 970 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. По сравнению с предыдущим поколением MDmesh fast, DM6 сочетает в себе очень низкий расxод на восстановление (Qrr), время восстановления (trr) и превосxодное улучшение RDS (on) для каждой области с одним из самыx эффективныx режимов переключения, доступныx на рынке.

Технические параметры

SeriesST
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation450Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Особенностиdepletion-mode fet
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Drain Source Resistance0.036 Ω
Drain Source On State Resistance0.036Ом
Maximum Continuous Drain Current68 A
Линейка ПродукцииMDmesh DM6
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока68А
Рассеиваемая Мощность450Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.036Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация