STW70N65DM6-4, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004138295
- Артикул
- STW70N65DM6-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- ST
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.43
- Channel Mode
- Depletion
Цена по запросу
(от 3 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. По сравнению с предыдущим поколением MDmesh fast, DM6 сочетает в себе очень низкий расxод на восстановление (Qrr), время восстановления (trr) и превосxодное улучшение RDS (on) для каждой области с одним из самыx эффективныx режимов переключения, доступныx на рынке.
Технические параметры
| Series | ST |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.43 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 450Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.036 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.036Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 68 A |
| Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 68А |
| Рассеиваемая Мощность | 450Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.036Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.036 Ом |