Моя заявка (0)

STW70N60DM6-4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 39А, Idm: 220А, 390Вт, TO247-4

STW70N60DM6-4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 39А, Idm: 220А, 390Вт, TO247-4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004033030
Артикул
STW70N60DM6-4
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
ST
Series:
STW70N60DM2
Pin Count
4
Цена по запросу
(от 1 850 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 39А, Idm: 220А, 390Вт, TO247-4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesST
Series:STW70N60DM2
Pin Count4
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г6.15
Technology:Si
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
Package TypeTO-247-4
Subcategory:MOSFETs
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-4
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:99 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:390 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Maximum Drain Source Voltage600 V
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:62 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.036 Ω
Maximum Continuous Drain Current62 A
Rds On - Drain-Source Resistance:42 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.75 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:600
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А39
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт390
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация