STW70N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 42А, 446Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887687
- Артикул
- STW70N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO247
- Type
- N Channel
- Series
- MDmesh DM2
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW70N60DM2 от компании STMicroelectronics представляет собой высокомощный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для разнообразных силовых применений. Данный транзистор устанавливается методом THT (сквозь печатную плату) и имеет корпус TO247, который обеспечивает надежный монтаж и хороший теплоотвод. С током стока 42 А и напряжением сток-исток в 600 В, этот транзистор способен управлять мощными цепями. Мощность устройства составляет 446 Вт, а очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,037 Ом, обеспечивает высокий КПД. Используйте компонент STW70N60DM2 для надежного и эффективного управления электронной нагрузкой в вашем проекте. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 42 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 446 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.037 Корпус TO247
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Type | N Channel |
| Series | MDmesh DM2 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | MDmesh™ DM2 |
| Вес, г | 4.43 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 42A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 446W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 600V |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 446W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 446 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 121 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 121nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.508nF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 66A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 446 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 42mΩ@10V, 33A |